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Subcategory： Trouble bipolaire (BJT) transistors à effet de champ (FET) et transistors à effet de champ (MOSFET) IGBT JFET Unijonction programmable Usage spécial
NSVDTA144WET1G onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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NSVDTA115EET1G onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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SMMUN2211LT3G onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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MMUN2234LT1 onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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SMMUN2211LT1G onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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NSVMUN2233T1G onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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NSBC114YF3T5G onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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SMUN5115T1G onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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SMMUN2216LT1G onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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NSVMMUN2135LT1G onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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NSVDTA114YM3T5G onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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NSBC114EF3T5G onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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NSVMMUN2131LT1G onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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NSVMUN2236T1G onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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NSVMUN5131T1G onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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NSVDTA123JM3T5G onsemi Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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RN1301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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RN1316,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Transistors bipolaires pré-polarisés simples
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