SI3900DV-T1-E3 Vishay Siliconix Transistors - FET MOSFET - Réseaux

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: 2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss): 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 2A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: -
Puissance - Max: 830mW
Température de fonctionnement: -55°C~150°C(TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur: 6-TSOP
Numéro de produit de base: SI3900