SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - FET MOSFET - Simples

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 500mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.5V, 5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Vgs (Max): ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 46 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 800mW (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: UFM
Paquet / Étui: 3-SMD, Flat Leads
Numéro de produit de base: SSM3K36