G4S12020D Global Power Technology-GPT Diodes simples

Fabricant: Global Power Technology-GPT
Série: -
Emballer: Cut Tape (CT) Tape & Box (TB)
Statut du produit: Active
Technologie: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200 V
Courant - Moyen redressé (Io): 75A
Tension - Direct (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr): 0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr: 50 µA @ 1200 V
Capacité à Vr, F: 2600pF @ 0V, 1MHz
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: -
Package d'appareils du fournisseur: TO-263
Température de fonctionnement - Jonction: -55°C ~ 175°C