MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistors RF bipolaires

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de transistor: NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 5.3V
Fréquence - Transition: 12.5GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Gagner: 11.8dB
Puissance - Max: 800mW
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareils du fournisseur: S-Mini
Numéro de produit de base: MT3S113