NESG340033-T1B-A Renesas Electronics Corporation Transistors RF bipolaires

Fabricant: Renesas Electronics Corporation
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de transistor: NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 5.5V
Fréquence - Transition: 10GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.7dB @ 1GHz
Gagner: 12dB
Puissance - Max: 480mW
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 200 @ 15mA, 3.3V
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 400mA
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Grade: -
Qualification: -
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareils du fournisseur: 3-MINIMOLD