PEMB16,115 NXP Semiconductors Réseaux de transistors bipolaires pré-polarisés

Fabricant: NXP Semiconductors
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.): 50V
Résistance - Base (R1): 22kOhms
Résistance - Base émettrice (R2): 47kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) à Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Saturation Vce (Max) à Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.): 1µA
Fréquence - Transition: -
Puissance - Max: 300mW
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur: SOT-666