DMN2011UFX-7 Diodes Incorporated Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Diodes Incorporated
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonctionnalité FET: -
Tension drain-source (Vdss): 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 12.2A (Ta)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 56nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 2248pF @ 10V
Puissance - Max: 2.1W
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 4-VFDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur: V-DFN2050-4
Numéro de produit de base: DMN2011