DMC67D8UFDBQ-7 Diodes Incorporated Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Diodes Incorporated
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Fonctionnalité FET: -
Tension drain-source (Vdss): 60V, 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 390mA (Ta), 2.9A (Ta)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V, 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 250µA, 1.25V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 0.4pC @ 4.5V, 7.3nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 41pF @ 25V, 443pF @ 16V
Puissance - Max: 580mW (Ta)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur: U-DFN2020-6 (Type B)
Numéro de produit de base: DMC67