DMN2016UTS-13 Diodes Incorporated Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Diodes Incorporated
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss): 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 8.58A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 16.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1495pF @ 10V
Puissance - Max: 880mW
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-TSSOP (0.173\ 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur: 8-TSSOP
Numéro de produit de base: DMN2016