DMN2010UDZ-7 Diodes Incorporated Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Diodes Incorporated
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Statut du produit: Obsolete
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonctionnalité FET: -
Tension drain-source (Vdss): 24V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 11A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 33.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 2665pF @ 10V
Puissance - Max: 700mW
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur: U-DFN2535-6
Numéro de produit de base: DMN2010