EPC2101 EPC Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: EPC
Série: eGaN®
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET: -
Tension drain-source (Vdss): 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 9.5A, 38A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Puissance - Max: -
Température de fonctionnement: -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: Die
Package d'appareils du fournisseur: Die
Numéro de produit de base: EPC210