BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: HEXFET®
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tension drain-source (Vdss): 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 5.1A, 3.2A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.4V @ 110µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 419pF @ 10V
Puissance - Max: 2.5W
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur: PG-TSDSON-8-FL
Numéro de produit de base: BSZ15DC02