IRF7341TRPBF Infineon Technologies Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: HEXFET®
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss): 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 4.7A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 36nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 740pF @ 25V
Puissance - Max: 2W
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur: 8-SO
Numéro de produit de base: IRF734