UPA2791GR-E1-AT Renesas Electronics Corporation Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Renesas Electronics Corporation
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Obsolete
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss): 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 5A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 10nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 400pF @ 10V
Puissance - Max: 2W
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-SOIC (0.173\ 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur: 8-PSOP
Numéro de produit de base: UPA2791