PMDPB80XP,115 Nexperia USA Inc. Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Nexperia USA Inc.
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Tension drain-source (Vdss): 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 2.7A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 8.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 550pF @ 10V
Puissance - Max: 485mW
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 6-UFDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur: 6-HUSON (2x2)
Numéro de produit de base: PMDPB80