NVMFD5875NLT1G onsemi Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Statut du produit: Obsolete
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss): 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 7A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 20nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 540pF @ 25V
Puissance - Max: 3.2W
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Numéro de produit de base: NVMFD5875