EFC4K105NUZTDG onsemi Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Statut du produit: Obsolete
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tension drain-source (Vdss): 22V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 25A (Ta)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 43nC @ 3.8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: -
Puissance - Max: 2.5W (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 10-SMD, No Lead
Package d'appareils du fournisseur: 10-WLCSP (3.4x1.96)
Numéro de produit de base: EFC4K105