SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Tension drain-source (Vdss): 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 180mA, 100mA
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 9.5pF @ 3V
Puissance - Max: 200mW
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur: US6
Numéro de produit de base: SSM6L35