SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Tension drain-source (Vdss): 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 4A (Ta)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 6.74nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 480pF @ 10V
Puissance - Max: 1W (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 6-WDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur: 6-µDFN (2x2)
Numéro de produit de base: SSM6P69