SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSVII
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Tension drain-source (Vdss): 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 250mA (Ta)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 42pF @ 10V
Puissance - Max: 150mW (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur: ES6
Numéro de produit de base: SSM6P35