SSM6N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: -
Tension drain-source (Vdss): 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 100mA
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.1V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 9.3pF @ 3V
Puissance - Max: 200mW
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur: US6
Numéro de produit de base: SSM6N16