SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Tension drain-source (Vdss): 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 800mA
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 268pF @ 10V
Puissance - Max: 500mW
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 6-SMD, Flat Leads
Package d'appareils du fournisseur: UF6
Numéro de produit de base: SSM6L39