G33N03D3 Goford Semiconductor Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Goford Semiconductor
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: Standard
Tension drain-source (Vdss): 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 28A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 11mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 15nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 837pF @ 15V
Puissance - Max: 13W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-DFN (3x3)
Package d'appareils du fournisseur: 8-PowerVDFN
Numéro de produit de base: G33N