HS8MA2TCR1 Rohm Semiconductor Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Rohm Semiconductor
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Fonctionnalité FET: -
Tension drain-source (Vdss): 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 5A (Ta), 7A (Ta)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 320pF @ 10V, 365pF @ 10V
Puissance - Max: 2W (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur: DFN3333-9DC
Numéro de produit de base: HS8MA2