IPG20N04S4L18AATMA1 Infineon Technologies Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: OptiMOS??T2
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: -
Tension drain-source (Vdss): 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 20A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.2V @ 8µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 15nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1071pF @ 25V
Puissance - Max: 26W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Type de montage: Surface Mount, Wettable Flank
Paquet / Étui: 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur: PG-TDSON-8-10
Numéro de produit de base: IPG20N