PJQ4606_R1_00001 Panjit International Inc. Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Panjit International Inc.
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Not For New Designs
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Fonctionnalité FET: -
Tension drain-source (Vdss): 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 7.6A (Ta), 23A (Tc), 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Puissance - Max: 2W (Ta), 18W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur: DFN3030B-8
Numéro de produit de base: PJQ4606