MSCSM120TLM11CAG Microchip Technology Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Microchip Technology
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Technologie: Silicon Carbide (SiC)
Configuration: 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Fonctionnalité FET: -
Tension drain-source (Vdss): 1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 251A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 10.4mOhm @ 120A, 20V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.8V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 696nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 9000pF @ 1000V
Puissance - Max: 1042W (Tc)
Température de fonctionnement: -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Chassis Mount
Paquet / Étui: Module
Package d'appareils du fournisseur: SP6C
Numéro de produit de base: MSCSM120