SQJ570EP-T1_BE3 Vishay Siliconix Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Fonctionnalité FET: -
Tension drain-source (Vdss): 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 15nC @ 10V, 20nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 600pF @ 25V, 650pF @ 25V
Puissance - Max: 27W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: PowerPAK® SO-8 Dual
Package d'appareils du fournisseur: PowerPAK® SO-8 Dual
Numéro de produit de base: SQJ570