MSCSM170HM12CAG Microchip Technology Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Microchip Technology
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Technologie: Silicon Carbide (SiC)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Fonctionnalité FET: -
Tension drain-source (Vdss): 1700V (1.7kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 179A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 15mOhm @ 90A, 20V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.2V @ 7.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 534nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 9900pF @ 1000V
Puissance - Max: 843W (Tc)
Température de fonctionnement: -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Chassis Mount
Paquet / Étui: Module
Package d'appareils du fournisseur: -
Numéro de produit de base: MSCSM170