DMT6015LPDW-13 Diodes Incorporated Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Diodes Incorporated
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: -
Tension drain-source (Vdss): 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 9.4A (Ta), 17.1A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 15.7nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 808pF @ 30V
Puissance - Max: 2.4W (Ta), 7.9W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Numéro de produit de base: DMT6015