DMTH10H032LPDWQ-13 Diodes Incorporated Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Diodes Incorporated
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel
Fonctionnalité FET: Standard
Tension drain-source (Vdss): 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 24A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 11.9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 683pF @ 50V
Puissance - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Numéro de produit de base: DMTH10