G1NP02LLE Goford Semiconductor Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Goford Semiconductor
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Fonctionnalité FET: Standard
Tension drain-source (Vdss): 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Puissance - Max: 1.25W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur: SOT-23-6L