G05NP10S Goford Semiconductor Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Goford Semiconductor
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: -
Fonctionnalité FET: Standard
Tension drain-source (Vdss): 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 5A (Tc), 6A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V, 200mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 797pF @ 25V, 760pF @ 25V
Puissance - Max: 3W (Tc), 2.5W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur: 8-SOP