DMT35M8LDG-13 Diodes Incorporated Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Diodes Incorporated
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonctionnalité FET: Standard
Tension drain-source (Vdss): 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 17A (Ta), 15.3A (Ta)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
Puissance - Max: 980mW (Ta), 2W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur: PowerDI3333-8 (Type G)