HP8ME5TB1 Rohm Semiconductor Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Rohm Semiconductor
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Fonctionnalité FET: Standard
Tension drain-source (Vdss): 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Puissance - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur: 8-HSOP