SIA921EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss): 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 4.5A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: -
Puissance - Max: 7.8W
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Package d'appareils du fournisseur: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Numéro de produit de base: SIA921