IRFHM8363TRPBF Infineon Technologies Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: HEXFET®
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Not For New Designs
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss): 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 11A
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.35V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 15nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1165pF @ 10V
Puissance - Max: 2.7W
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Numéro de produit de base: IRFHM8363