DMN2014LHAB-13 Diodes Incorporated Réseaux de transistors FET et MOSFET

Fabricant: Diodes Incorporated
Série: -
Conditionnement: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut de la pièce: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET: -
Tension drain-source (Vdss): 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 9A (Ta)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 16nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1550pF @ 10V
Puissance - Max: 800mW (Ta)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: 6-UFDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur: U-DFN2030-6 (Type B)
Numéro de produit de base: DMN2014