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MRFG35010MT1 NXP USA Inc. FET RF MOSFET

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détails du produit Critique(0)
Fabricant: NXP USA Inc.
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Obsolete
Technologie: pHEMT FET
Fréquence: 3.55GHz
Gagner: 10dB
Tension - Test: 12 V
Courant nominal (ampères): -
Facteur de bruit: -
Actuel - Test: 180 mA
Puissance - Sortie: 9W
Tension - Nominale: 15 V
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: PLD-1.5
Package d'appareils du fournisseur: PLD-1.5
Numéro de produit de base: MRFG35

Datasheet

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