NDSH20120C onsemi Diodes simples

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Technologie: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200 V
Courant - Moyen redressé (Io): 26A
Tension - Direct (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr): 0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr: 200 µA @ 1200 V
Capacité à Vr, F: 1480pF @ 1V, 100kHz
Type de montage: Through Hole
Paquet / Étui: TO-247-2
Package d'appareils du fournisseur: TO-247-2
Température de fonctionnement - Jonction: -55°C ~ 175°C