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BLD6G22LS-50,112 NXP USA Inc. FET RF MOSFET

BLD6G22LS-50,112 NXP USA Inc. FET RF MOSFET

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détails du produit Critique(0)
Fabricant: NXP USA Inc.
Série: -
Emballer: Tray
Statut du produit: Obsolete
Technologie: LDMOS
Configuration: Dual, Common Source
Fréquence: 2.14GHz
Gagner: 14dB
Tension - Test: 28 V
Courant nominal (ampères): 10.2A
Facteur de bruit: -
Actuel - Test: 170 mA
Puissance - Sortie: 8W
Tension - Nominale: 65 V
Type de montage: Surface Mount
Paquet / Étui: SOT-1130B
Package d'appareils du fournisseur: CDFM4

Datasheet

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