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BLA1011S-200R,112 NXP USA Inc. FET RF MOSFET

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Fabricant: NXP USA Inc.
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Obsolete
Technologie: LDMOS
Fréquence: 1.03GHz ~ 1.09GHz
Gagner: 13dB
Tension - Test: 36 V
Courant nominal (ampères): -
Facteur de bruit: -
Actuel - Test: 150 mA
Puissance - Sortie: 200W
Tension - Nominale: 75 V
Type de montage: Chassis Mount
Paquet / Étui: SOT-502B
Package d'appareils du fournisseur: SOT502B

Datasheet

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