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AONR32314 Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET simples MOSFET

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Fabricant: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 17A (Ta), 30A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.25V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 32 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1420 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 4.1W (Ta), 24W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 8-DFN (3x3)
Paquet / Étui: 8-SMD, Flat Lead
Numéro de produit de base: AONR323

Datasheet

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