Fabricant: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Last Time Buy
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 4.5A (Ta), 28A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 37mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 44 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 2000 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1.9W (Ta), 75W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: UltraSO-8??
