DMN2320UFB4-7B Diodes Incorporated FET simples MOSFET

Fabricant: Diodes Incorporated
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 1A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.8V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 71 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 520mW (Ta)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: X2-DFN1006-3
Paquet / Étui: 3-XFDFN
Numéro de produit de base: DMN2320