EPC2216 EPC FET simples MOSFET

Fabricant: EPC
Série: eGaN®
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss): 15 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 3.4A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 1.1 nC @ 5 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 118 pF @ 7.5 V
Fonctionnalité FET: Standard
Dissipation de puissance (max.): -
Température de fonctionnement: -40°C ~ 150°C (TJ)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: Die
Paquet / Étui: Die