AUIRF3805S-7TRL Infineon Technologies FET simples MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: HEXFET®
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Not For New Designs
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 160A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 200 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 7820 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 300W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: D2PAK (7-Lead)
Paquet / Étui: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Numéro de produit de base: AUIRF3805