IPA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies FET simples MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: CoolMOS??P7
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 18A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4V @ 280µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 25 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1081 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 26W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: PG-TO220 Full Pack
Paquet / Étui: TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base: IPA60R