IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies FET simples MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: CoolMOS??P7
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 4.5A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.5V @ 40µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 174 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 6.3W (Tc)
Température de fonctionnement: -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PG-SOT223
Paquet / Étui: TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base: IPN70R1